2026深圳國際第三代半導體(ti) 技術及封測展覽會(hui)

Shenzhen Third Generation Semiconductor Technology and Testing Exhibition

基本信息

時間：2026年4月9-11日

地點：深圳會(hui) 展中心

展會(hui) 簡介 

    2026深圳第三代半導體(ti) 技術及封測展覽會(hui) 將於(yu) 年4月9-11日在深圳會(hui) 展中心舉(ju) 行，致力於(yu) 先進半導體(ti) 器件、封裝測試、工藝流程、創新應用及產(chan) 業(ye) 鏈間的合作，為(wei) 上遊及材料設備搭建交流協作的橋梁。隨著第三代半導體(ti) 器件的日益普及和廣泛應用，為(wei) 行業(ye) 帶來了革新。基於(yu) 其高速、小體(ti) 積、低損耗、高功率、高散熱、高集成等方向發展，越來越廣泛應用在消費電子及電力電子行業(ye) ，先進封裝材料、可靠性技術都在不斷的發展提升，車矽級器件不斷上車，目前初步形成從(cong) 材料、器件、封裝、測試，再到應用的全產(chan) 業(ye) 鏈，但整體(ti) 技術水平還落後世界頂尖水平，亟需突破材料、晶圓、 封測、工藝、應用等環節的核心關(guan) 鍵技術和可靠性、一致性等工程化應用問題，內(nei) 容涵蓋第三代半導體(ti) 器件與(yu) 封裝技術最新進展，針對SiC/GaN功率器件先進封裝材料及可靠性，SiC/GaN功率器件工藝、器件新型封裝結構材料、燒結銀互連技術、封裝材料可靠性測試、封裝熱管理、熱和機械可靠性仿真設備，了解大功率電力電子器件與(yu) 封裝的各種挑戰，邀請產(chan) 學研用資多領域優(you) 勢力量、業(ye) 界知名專(zhuan) 家、企業(ye) 代表分享專(zhuan) 題報告，探討最新進展，促進第三代半導體(ti) 器件與(yu) 封裝技術發展。

日程安排

報道布展: 2026年4月7-8日

展覽展示: 2026年4月9-11日

開幕時間: 2026年4月9日

撤展時間: 2026年4月11日

參展範圍

·第三代半導體(ti) 封測技術

·SiC功率器件先進封裝材料

·SiC功率器件工藝及技術

·半導體(ti) 材料、工藝、創新及應用

·新型封裝結構材料、燒結銀互連技術

·封裝材料可靠性測試、封裝熱管理、可靠性仿真設備

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