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晶體矽結構合成技術升級研討會
發布日期:2025-6-11  訪問:112

 開展時間:2025-12-9
 結束時間:2025-12-11
 展會地點:上海新國際博覽中心


上海國際矽材料展覽會(hui)

官方鏈接了解更多   

時間:2025129-11

地點:上海新國際博覽中心

報館名稱:國際碳材料大會(hui) 暨矽材料展覽會(hui)

主辦方:勵展國際博覽

中國生產(chan) 力促進中心協會(hui) 新材料專(zhuan) 委會(hui)

承辦方:漢慕會(hui) 展(上海)有限公司

會(hui) 展官方鏈接了解更多   

大家上午好!

近年來,隨著全球能源結構轉型加速推進,光伏產(chan) 業(ye) 迎來爆發式增長,作為(wei) 主流光伏材料的晶體(ti) 矽生產(chan) 技術革新成為(wei) 行業(ye) 關(guan) 注的焦點。2025611日,由中國光伏行業(ye) 協會(hui) 主辦的"晶體(ti) 矽結構合成技術升級研討會(hui) "在北京召開,來自科研院所、龍頭企業(ye) 及設備供應商的300餘(yu) 位專(zhuan) 家,圍繞晶體(ti) 矽製備工藝的突破性進展展開深度對話。

從(cong) 單晶到N型的迭代演進

會(hui) 議首日,中國科學院半導體(ti) 研究所王建國團隊發布的"超純N型單晶矽生長動力學模型"引發熱議。該研究通過引入量子點輔助成核技術,將晶體(ti) 缺陷密度降低至0.01/cm²量級,較傳(chuan) 統CZ法提升兩(liang) 個(ge) 數量級。實驗數據顯示,采用該技術製備的210mm矽片平均少子壽命達3ms,光衰係數較P型矽片下降72%。隆基綠能首席技術官李華在現場演示了"連續加料直拉單晶"係統,通過多級溫度梯度控製,實現單爐次連續生產(chan) 72小時,單位能耗較傳(chuan) 統工藝降低18%

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