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碳化矽(SiC)結構生長技術升級峰會
發布日期:2025-6-11  訪問:129

 開展時間:2025-12-9
 結束時間:2025-12-11
 展會地點:上海新國際博覽中心


上海國際矽材料展覽會(hui)

官方鏈接了解更多   

時間:2025129-11

地點:上海新國際博覽中心

報館名稱:國際碳材料大會(hui) 暨矽材料展覽會(hui)

主辦方:勵展國際博覽

中國生產(chan) 力促進中心協會(hui) 新材料專(zhuan) 委會(hui)

承辦方:漢慕會(hui) 展(上海)有限公司

會(hui) 展官方鏈接了解更多   

大家上午好!在這萬(wan) 物並秀的仲夏時節,我們(men) 齊聚一堂,共同開啟這場聚焦碳化矽結構生長技術升級的行業(ye) 盛會(hui) 。作為(wei) 第三代半導體(ti) 材料的核心代表,碳化矽正以突破性的物理特性重塑著電力電子、新能源汽車、航天軍(jun) 工等領域的產(chan) 業(ye) 格局。今天,我們(men) 不僅(jin) 是在探討一項技術的革新,更是在參與(yu) 一場可能改變未來能源利用效率的產(chan) 業(ye) 革命。

讓我們(men) 首先回顧碳化矽技術發展的三個(ge) 關(guan) 鍵裏程碑:從(cong) 1893年愛德華·古德裏奇·阿奇遜首次在實驗室合成碳化矽晶體(ti) ,到上世紀50年代Lely法開創性的自發成核生長,再到90年代後期物理氣相傳(chuan) 輸法(PVT)實現產(chan) 業(ye) 化突破——這條技術演進之路,恰如我們(men) 手中正在生長的碳化矽晶體(ti) ,需要經曆高溫高壓的淬煉才能成就卓越品質。據最新行業(ye) 數據顯示,全球碳化矽功率器件市場規模預計在2027年突破100億(yi) 美元,其中襯底材料的技術突破將成為(wei) 決(jue) 定產(chan) 業(ye) 發展的關(guan) 鍵變量。

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